高于1100K时，电力多元锂离子开始为类液态，对流动热导率和截项热导率的贡献显著增加。

d）通过PECVD方法制备的4英寸晶圆级石墨烯玻璃的照片（远程射频PECVD，行业550℃，100W，0.2TorrCH4）。4、临近金属催化辅助石墨烯生长4-1金属蒸汽催化石墨烯生长图7金属-蒸气-催化剂辅助的石墨烯在玻璃上的生长a）Cu-蒸气-催化石墨烯生长示意图，临近铜箔位于衬底上游。

2、拐点石墨烯在耐高温玻璃上的生长2-1常压CVD方法图2石墨烯在耐高温玻璃上的直接APCVD生长a）硼硅玻璃在石墨烯生长之前（最左侧）和之后的照片，拐点CH4流速分别为2和7.5sccm（Ar/H2：100/50sccm，1000℃，2小时）。最后从大规模生产超级石墨烯玻璃的角度讨论，展成未来实际应用中面临的挑战。趋势等离子体增强CVD（PECVD）技术则可以实现玻璃衬底上石墨烯的低温生长。

在目前阶段，电力多元玻璃衬底上高质量石墨烯的CVD生长仍存在很多挑战，超级石墨烯玻璃的理论与现实之间仍然存在很大差距。图3通过混合CVD工艺在玻璃上生长石墨烯a）气流限域实验设计示意图：行业将磨砂石英板放置在目标玻璃基板上，形成2-4μm的间隙。

相信随着石墨烯玻璃生长技术的突破，临近在不远的将来超级石墨烯玻璃有望成为石墨烯的撒手锏级应用。

所有其他生长参数保持相同（≈1040°C，拐点Ar/H2/CH4：150/30/10sccm），比例尺：2μm。这一发现，展成可以实现大规模的单晶金属箔片工业化生产。

这些单晶金属箔片在表面科学、趋势基础催化研究和各种其他应用领域中具有许多用途。【成果简介】今日，电力多元在韩国基础科学研究所RodneyS.Ruoff教授和Hyung-JoonShin教授（共同通讯作者）团队的带领下，电力多元与蔚山国立科技研究所和成均馆大学合作，报道了一种无接触退火（CFA）策略，实现了通过商业多晶箔片普适性制备大面积单晶金属箔片。

 【图文导读】图1通过CFA生产的单晶Cu（111）箔片图2通过CFA生产的单晶Pt（111）箔片图3 大面积单晶Cu的织构演变和晶粒长大图4从{112}111向{111}112方向转变的单晶fcc箔片文献链接：行业Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing（Science,2018,DOI：行业10.1126/science.aao3373）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，材料牛整理编辑。临近单晶薄金属膜也可以通过沉积在单晶无机衬底的顶部制备而成